FZ poluvodič od silicijske ploče
Opis FZ silicijska pločica je vrsta silicijske pločice visoke čistoće koja se obično koristi u industriji poluvodiča. FZ je kratica za Float Zone, što je metoda uzgoja monokristalnog silicija. Tijekom procesa FZ, silicijska šipka visi okomito u visokotemperaturnoj peći i...
Opis
Opis
FZ silicijska pločica je vrsta silicijske pločice visoke čistoće koja se obično koristi u industriji poluvodiča. FZ je kratica za Float Zone, što je metoda uzgoja monokristalnog silicija.
Tijekom FZ procesa, silicijska šipka visi okomito u visokotemperaturnoj peći, a rastaljena zona se stvara zagrijavanjem malog dijela šipke. Rastaljena zona se pomiče po dužini šipke, a kako se hladi, skrućuje se u jedan kristal. Proces se ponavlja više puta dok se cijela dužina šipke ne pretvori u jedan kristal.
FZ silicijske pločice imaju vrlo visoku razinu čistoće, s razinama nečistoća obično manjim od jednog dijela na milijardu. Ova čistoća ih čini idealnim za korištenje u elektroničkim uređajima visokih performansi, kao što su mikroprocesori, memorijski čipovi i solarne ćelije. FZ pločice se također koriste u znanstvenim istraživanjima iu proizvodnji senzora i detektora visokih performansi.
Specifikacija
| Promjer | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Metoda rasta | FZ | |||||
| Orijentacija | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Tip/Dopant | Unutarnji, N tip/fos, P tip/bor | |||||
| Debljina (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Tolerancija debljine | Standard ± 25um | ±50um | ||||
| Otpor (Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 i 1-5 | |||||
| Završena površina | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (um) | Standard< 10 um | |||||
| Luk/Warp (um) | Standard<40 um | |||||
Popularni tagovi: fz poluvodič silicijske ploče
Pošaljite upit
Mogli biste i voljeti