Koja je razlika između polisilikona i kristaliziranog silicija?
Ostavite poruku
Koja je razlika između monokristalnog silicija i polikristalnog silicija?
| Imovina | Monokristalni silicij | Polikristalni silicij |
|---|---|---|
| Kristalna struktura | Kontinuirana jednokristalna rešetka | Više malih kristala s granicama zrna |
| Metoda proizvodnje | Czochralski proces (spora, visoka čistoća) | Lijevanje rastopljenog silicija (brže, isplativo) |
| Učinkovitost (solarna) | 15-24% (veća pretvorba energije) | 13-18% (niže zbog oštećenja zrna) |
| Materijalni otpad | ~ 50% gubitak prilikom rezanja cilindričnih ingota | Minimalni otpad (izravno oblikovanje) |
| Izgled | Ujednačena tamno crna nijansa | Nacrtana plava površina |
Koja je razlika između polisilikona i kristaliziranog silicija?
Pojašnjenje: "Polysilicon" nasuprot "kristalizirani silicij"
Polisilicon (Poly-Si): sinonim zapolikristalni silicij, odnose se na silicij učvršćeni u više kristalnih zrna.
Kristalizirani silicij: nije standardni tehnički izraz; Obično podrazumijeva bilo kojimonokristalni(potpuno kristalizirano) ilipolikristalni(djelomično kristalizirani) Silicij. Industrijski konteksti koriste isključivo "polikristalni silicij".
Koje su sirovine za polikristalni silicij?
Sirovine za polikristalnu proizvodnju silicija
Primarni ulazi uključuju:
Metalurški silicij (MG-Si): ~ 98% čisto, izvedeno od smanjenja kvartzita u lučnim pećima.
Kemijski pročišćivači: Klorske spojeve (npr. SIHCL₃) za usavršavanje procesa Siemens.
Kristali sjemena: Fragmenti za pokretanje kontroliranog učvršćivanja u lijevanim kalupima.
Je li polikristalni silicijski vodljiv?
Električna vodljivost polikristalnog silicija
Inherentna država: čisti poli-si je poluvoditelj Behave kao izolator na apsolutnoj nuli, ali dobiva vodljivost pobudom topline/svjetla.
Doping ovisnost: vodljivost je prilagodljiva:
Doping fosfora→ N-tip (Provod elektrona)
Boron doping→ P-Type (provodljivost rupa)
Utjecaj granice zrna: kristalna sučelja raspršivača, smanjujući pokretljivost u usporedbi s mono-si. Provod na granicama slijedi emisiju Poole-frankela pod visokim poljima.
Ključne metrike performansi
Pokretljivost elektrona: mono-si: ~ 1.400 cm²/v · s|Poly-Si:<800 cm²/V·s
Toplinska stabilnost: Poly-SI zadržava strukturni integritet do 1.400 stupnjeva, kritično za procese visokog temp.
Industrijska dominacija: Poly-Si constitutes >80% volumena silicija solarnog stupnja zbog skalabilne proizvodnje.
Mono-Si vrhunska učinkovitost opravdava njegovu upotrebu u vrhunskoj elektronici i svemirskim primjenama, dok Poly-Si dominira zemaljskim solarnim farmama usvajanjem troškova.
PosjetitiFerro-ILicon-alloy.comDa biste saznali više o proizvodu. Ako želite znati više o cijeni proizvoda ili ste zainteresirani za kupnju, pošaljite e -poštu nainfo@zaferroalloy.com. Javit ćemo vam se čim vidimo vašu poruku.
