Dom - Proizvodi - Silicij karbid - Detalji
Silicij karbid proces
video
Silicij karbid proces

Silicij karbid proces

Oblik: grudica/oblik praha
Silicijev karbid u prahu za vatrostalne

Opis

 

Opis

Potražnja za energetski učinkovitijim i pouzdanijim energetskim sustavima dovela je do razvoja uređaja od silicij karbida (SiC). SiC je poluvodički materijal s vrhunskim svojstvima u usporedbi s tradicionalnim energetskim uređajima na bazi silicija.
SiC proces uključuje rast kristalnog materijala kombinacijom kemijskog taloženja iz pare i žarenja na visokoj temperaturi. Rezultirajući materijal ima širi pojasni razmak od silicija, što mu omogućuje rad na višim temperaturama i višim naponima s nižim gubicima pri prebacivanju. Ova svojstva čine SiC uređaje idealnim za aplikacije velike snage, visoke frekvencije, kao što su električna vozila, sustavi obnovljive energije i industrijski motorni pogoni.

Specifikacija
Model Postotak komponente
60# SiC F.C Fe2O3
65# 60 min 15-20 8-12 3,5 maks
70# 65 min 15-20 8-12 3,5 maks
75# 70 min 15-20 8-12 3,5 maks
80# 75 min 15-20 8-12 3,5 maks
85# 80 min 3-6 3,5 maks
90# 85 min 2,5 maks 3,5 maks
95# 90 min 1.0maks 1,2 maks
97# 95 min 0.6 maks 1,2 maks

 

 

 

U usporedbi s tradicionalnim uređajima na bazi silicija, SiC uređaji nude nekoliko ključnih prednosti, uključujući:
1. Veća učinkovitost: SiC uređaji imaju manji otpor pri uključivanju i mogu raditi na višim temperaturama, smanjujući gubitke snage i povećavajući učinkovitost.
2. Veća gustoća snage: SiC uređaji mogu podnijeti veće napone i struje, omogućujući da se više energije spakira u manji prostor.
3. Viša frekvencija preklapanja: SiC uređaji mogu se brže uključivati ​​i gasiti, omogućujući veće frekvencije preklapanja i omogućavajući kompaktnije i učinkovitije sustave napajanja.
4. Povećana pouzdanost: SiC uređaji su robusniji i mogu raditi u teškim okruženjima, poboljšavajući pouzdanost i smanjujući potrebu za održavanjem.
Kao rezultat ovih prednosti, SiC uređaji brzo postaju preferirani izbor za aplikacije energetske elektronike. Zapravo, očekuje se da će tržište SiC energetskih uređaja rasti po CAGR-u od 34,2 posto od 2020. do 2025., dosegnuvši vrijednost od 2,2 milijarde dolara do 2025. godine.
Uz tehnološke prednosti, SiC proces ima i manji utjecaj na okoliš u usporedbi s tradicionalnim procesima koji se temelje na siliciju. SiC je ekološki prihvatljivija alternativa, s nižim emisijama i potrošnjom energije.
Sve u svemu, SiC proces predstavlja revoluciju u energetskoj elektronici, pružajući veću učinkovitost, pouzdanost i gustoću snage na ekološki prihvatljiviji način. S brzim razvojem i usvajanjem SiC uređaja, spremni smo vidjeti novu eru energetski učinkovitih sustava energetske elektronike visokih performansi.

Pitanja

P: Jeste li trgovačka tvrtka ili proizvođač?
O: Mi smo proizvođač, nalazi se u provinciji Henan, Kina.


P: Koje su vaše prednosti?
O: Imamo vlastite tvornice, ljupke zaposlenike i profesionalne timove za proizvodnju, obradu i prodaju. Kvaliteta se može jamčiti. Imamo bogato iskustvo u metalurškom polju proizvodnje čelika.


P: Može li se pregovarati oko cijene?
O: Da, slobodno nas kontaktirajte bilo kada ako imate bilo kakvo pitanje. A za klijente koji žele proširiti tržište, dat ćemo sve od sebe da podržimo.


P: Možete li dostaviti besplatne uzorke?
O: Da, možemo dostaviti besplatne uzorke.

 

 

 

 

Popularni tagovi: postupak silicij karbida

Mogli biste i voljeti

Torbe za kupovinu