Silicijev karbid SiC 1-5 mm

Silicijev karbid (SiC) je sintetski spoj sastavljen od silicija i ugljika. To je vrlo izdržljiv i tvrd materijal s izvrsnom toplinskom vodljivošću, visokim talištem i visokom električnom vodljivošću. SiC se proizvodi kombinacijom visoke temperature i tlaka. Najčešća metoda za proizvodnju SiC je Achesonov proces, koji uključuje sljedeće korake:

Priprema sirovina: Sirovine za proizvodnju SiC su silikatni pijesak i petrol koks. Ovi materijali se pažljivo biraju i miješaju u željenim omjerima. Drugi materijali poput piljevine ili soli također se mogu dodati kako bi se poboljšala poroznost konačnog proizvoda.

Punjenje peći: Sirovine se pune u elektrootpornu peć obloženu karbonskim opekama. Peć se zagrijava na temperaturu od oko 2200 stupnjeva, što uzrokuje reakciju ugljika u koksu sa silicijevim dioksidom i formira SiC.

Formiranje SiC: Kako se temperatura peći povećava, reakcija između ugljika i silicijevog dioksida postaje snažnija i počinju se stvarati kristali SiC. Kristali SiC rastu kako reakcija napreduje, i na kraju se formira čvrsta SiC masa.

Drobljenje i prosijavanje: Čvrsta SiC masa se usitnjava i prosijava do željene veličine. Veličina SiC zrnaca može varirati ovisno o namjeravanoj primjeni.

Kemijska obrada: SiC zrnca mogu biti podvrgnuta kemijskoj obradi kako bi se uklonile sve nečistoće koje mogu utjecati na njihovu kvalitetu. Liječenje može uključivati ​​upotrebu kiseline, lužine ili drugih kemikalija.

Pakiranje i skladištenje: Konačni SiC proizvod se zatim pakira u odgovarajuće spremnike i skladišti u suhom, dobro prozračenom prostoru dok ne bude spreman za otpremu.